BSM100GAL120DLCK модуль
220 руб.
Показать оптовые цены- В наличии 1 ед.
- Оптом и в розницу
- +375 (291) 40-42-90опт/розница,нал/безнал,тех.вопросы
- +375 (33) 300-57-57опт-сантехника безнал,сбыт
- +375 (298) 33-65-79радиодетали-сбыт, тех. вопросы
- +375 (222) 62-99-99тел/факс
- Условия оплаты и доставки
- График работы
- Адрес и контакты
- Производитель и гарантия
Модуль IGBT биполярных транзисторов с изолированным затвором BSM100GAL120 1200V 100A CHOPPER.
Технические характеристики BSM100GAL120DLCK:
Продукт | IGBT Silicon Modules |
---|---|
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.1 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 205 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Рассеяние мощности | 830 W |
Максимальная рабочая температура | + 125 C |
Упаковка / блок | 34MM |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Вид монтажа | Screw |
Основные | |
---|---|
Производитель | Infineon |
Страна производитель | Германия |
Тип транзистора | Транзисторный модуль |
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 1200 В |
Максимальная мощность рассеивания | 830.0 (Вт) |
Тип монтажа | Ручной монтаж |
- Цена: 220 руб.